CDBDSC10650-G - Comchip Technology

Numéro d'article	CDBDSC10650-G
État de la pièce	Active
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	650V
Courant - Rectifié moyen (Io)	33A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.7V @ 10A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	100µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F	690pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur	D-PAK (TO-252)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CDBDSC10650-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	Détails
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