2N7002-G - Comchip Technology

Numéro d'article	2N7002-G
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	250mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 25V
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 250mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Détails
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Détails
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Détails
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	Détails
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Détails
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails