CTLDM303N-M832DS TR - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article	CTLDM303N-M832DS TR
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 10V
Puissance - Max	1.65W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-TDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	TLM832DS
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CTLDM303N-M832DS BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET DUAL N-CHANNEL	Détails
CTLDM303N-M832DS TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS	Détails
CTLDM304P-M832DS TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS	Détails