CTLDM303N-M832DS TR - Central Semiconductor Corp

Número de pieza: CTLDM303N-M832DS TR
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	CTLDM303N-M832DS TR
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 10V
Potencia - Max	1.65W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-TDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	TLM832DS
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
CTLDM303N-M832DS BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET DUAL N-CHANNEL	Detalles
CTLDM303N-M832DS TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS	Detalles
CTLDM304P-M832DS TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS	Detalles