CEDM7002AE TR - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article	CEDM7002AE TR
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Vgs (Max)	20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-883L
Paquet / cas	SC-101, SOT-883
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CEDM7001 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883	Détails
CEDM7001 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883	Détails
CEDM7001VL TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883	Détails
CEDM7002AE TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883	Détails
CEDM7004 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883	Détails
CEDM7004 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883	Détails
CEDM7004VL TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883	Détails