CEDM7002AE TR - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CEDM7002AE TR
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Vgs (Max)	20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	100mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-883L
Paket / Fall	SC-101, SOT-883
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CEDM7001 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883	Einzelheiten
CEDM7001 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883	Einzelheiten
CEDM7001VL TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883	Einzelheiten
CEDM7002AE TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883	Einzelheiten
CEDM7004 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883	Einzelheiten
CEDM7004 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883	Einzelheiten
CEDM7004VL TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883	Einzelheiten