2N6432 - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article	2N6432
État de la pièce	Active
Type de transistor	PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	200V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	250nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 10mA, 10V
Puissance - Max	1.8W
Fréquence - Transition	50MHz
Température de fonctionnement	-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur	TO-18
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2N0303	INFINEON	2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks	Détails
2N03L10	INFINEON	2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks	Détails
2N1008	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails
2N1008A	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails
2N1008B	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails
2N1011	EXSHINE	germanium transistors	Détails
2N1016B	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Détails
2N1016C	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Détails
2N1016D	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Détails
2N1057	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails