| Numéro d'article | 2N6055 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | NPN |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500µA |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| Puissance - Max | 100W |
| Fréquence - Transition | 4MHz |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-204AA, TO-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | Détails |
|
2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | Détails |
|
2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Détails |
|
2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Détails |
|
2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Détails |
|
2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Détails |
 |
2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Détails |
|
2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Détails |
|
2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Détails |
|
2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Détails |
