AOT10N60_001 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AOT10N60_001
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220-3
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AOT10B60D	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT 600V 20A 163W TO220	Détails
AOT10B65M1	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT 650V 10A TO220	Détails
AOT10B65M2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT 650V 10A TO220	Détails
AOT10N60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	Détails
AOT10N60L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO220	Détails
AOT10N60_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	Détails
AOT10N65	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 650V 10A TO220	Détails
AOT10T60L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	Détails
AOT10T60P	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO220	Détails
AOT10T60PL	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	Détails