AOT10N65

AOT10N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article
AOT10N65
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
AOT10N65 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
AOT10N65.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
46043 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.5775/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour AOT10N65

AOT10N65 Description détaillée

Numéro d'article AOT10N65
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1645pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR AOT10N65