AOI4T60P

AOI4T60P - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article
AOI4T60P
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
AOI4T60P Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
AOI4T60P.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4421 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour AOI4T60P

AOI4T60P Description détaillée

Numéro d'article AOI4T60P
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 522pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-251
Paquet / cas TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR AOI4T60P