AOI11S60

AOI11S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article
AOI11S60
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
AOI11S60 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
AOI11S60.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
24422 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.1034/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour AOI11S60

AOI11S60 Description détaillée

Numéro d'article AOI11S60
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 545pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399 mOhm @ 3.8A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-251A
Paquet / cas TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR AOI11S60