AOI4N60

AOI4N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article
AOI4N60
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
AOI4N60.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
83495 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3031/pcs
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AOI4N60 Description détaillée

Numéro d'article AOI4N60
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-251A
Paquet / cas TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids -
Pays d'origine -

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