AO3460L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AO3460L
État de la pièce	Last Time Buy
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	650mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	27pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 Ohm @ 650mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	-
Package de périphérique fournisseur	-
Paquet / cas	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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