AO3460L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Número de pieza	AO3460L
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	650mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	27pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 Ohm @ 650mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Paquete / caja	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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