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Accueil › Les fabricants › EPC
epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
Produits à semiconducteurs discrets
Circuits intégrés (CI)
RF/IF et RFID
Image Numéro d'article La description Vue
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Détails
EPC2040ENGR EPC2040ENGR TRANS GAN 25V BUMPED DIE Détails
EPC2034ENGR EPC2034ENGR TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Détails
EPC2033ENGR EPC2033ENGR TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Détails
EPC2032ENGR EPC2032ENGR TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Détails
EPC2031ENGR EPC2031ENGR TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Détails
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Détails
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE Détails
EPC2024ENGR EPC2024ENGR TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Détails
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Détails
EPC2020ENGR EPC2020ENGR TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Détails
EPC2036ENGRT EPC2036ENGRT MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE Détails
EPC2029ENGR EPC2029ENGR TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Détails
EPC2025 EPC2025 TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Détails
EPC2015CENGR EPC2015CENGR TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Détails
EPC2818 EPC2818 TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Détails
EPC2815 EPC2815 TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Détails
EPC2801 EPC2801 TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE Détails
EPC8009ENGR EPC8009ENGR TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE Détails
EPC8004ENGR EPC8004ENGR TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE Détails
  1. First
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  9. End