BYV30B-600PJ - WeEn Semiconductors

Número de pieza	BYV30B-600PJ
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Corriente - promedio rectificado (Io)	30A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.55V @ 30A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor	D2PAK
Temperatura de funcionamiento - unión	175°C (Max)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BYV30-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC	Detalles
BYV30B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK	Detalles
BYV30JT-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P	Detalles
BYV30W-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2	Detalles
BYV30X-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F	Detalles
BYV32	VISHAY	Dual Ultrafast Rectifiers	Detalles
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BYV32-100-XM	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	Detalles
BYV32-100-XTM	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	Detalles