SUD20N10-66L-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SUD20N10-66L-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.3461/pcs
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Número de pieza	SUD20N10-66L-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	16.9A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 6.6A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SUD20N10-66L-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252	Detalles