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SUD20N10-66L-GE3

SUD20N10-66L-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer: SUD20N10-66L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
Bleifreier Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht: SUD20N10-66L-GE3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen: -
Kategorie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit: 1 Day
Datumscode: New
Bestandsmenge: 75382 pcs
Referenzpreis: USD 0.3461/pcs
Unser Preis: Senden Sie per E-Mail: [email protected]

SUD20N10-66L-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer	SUD20N10-66L-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	16.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 6.6A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

VERWANDTE PRODUKTE FÜR SUD20N10-66L-GE3

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	SUD20N10-66L-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252	Einzelheiten