SQS405ENW-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SQS405ENW-T1_GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 342300 pcs
Precio de referencia: USD 0.48101/pcs
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Número de pieza	SQS405ENW-T1_GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 8V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2650pF @ 6V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SQS405EN-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212	Detalles
	SQS405ENW-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212	Detalles