SQS405ENW-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQS405ENW-T1_GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 8V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2650pF @ 6V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	39W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	SQS405EN-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212	Einzelheiten
	SQS405ENW-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212	Einzelheiten