SIZ300DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIZ300DT-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: SIZ300DT-T1-GE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 50751 pcs
Precio de referencia: USD 0.499/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	SIZ300DT-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 15V
Potencia - Max	16.7W, 31W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PowerPair®
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIZ300DT-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR	Detalles