SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIZ300DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
54138 pcs
Referenzpreis
USD 0.499/pcs
Unser Preis
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SIZ300DT-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIZ300DT-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A, 28A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Leistung max 16.7W, 31W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-PowerPair®
Gewicht -
Ursprungsland -

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