SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SIHP20N50E-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
72 pcs
Precio de referencia
USD 3.08/pcs
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SIHP20N50E-GE3 Descripción detallada

Número de pieza SIHP20N50E-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 19A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 184 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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