SIHP20N50E-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIHP20N50E-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	92nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1640pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	179W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	184 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIHP20N50E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB	Einzelheiten
SIHP21N60EF-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB	Einzelheiten
SIHP21N65EF-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB	Einzelheiten
SIHP21N80AE-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 800V TO-220AB	Einzelheiten
SIHP22N60AE-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB	Einzelheiten
SIHP22N60AEL-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 600V	Einzelheiten
SIHP22N60E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB	Einzelheiten
SIHP22N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB	Einzelheiten
SIHP22N60EL-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB	Einzelheiten
SIHP22N65E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB	Einzelheiten