SIHH26N60EF-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIHH26N60EF-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 3.8324/pcs
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Número de pieza	SIHH26N60EF-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	24A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2744pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	202W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	141 mOhm @ 13A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 8 x 8
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIHH26N60E-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8	Detalles
	SIHH26N60EF-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK	Detalles