SIA913DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIA913DJ-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: SIA913DJ-T1-GE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 3951 pcs
Precio de referencia: USD 0/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	SIA913DJ-T1-GE3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 P-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 6V
Potencia - Max	6.5W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SIA910EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6	Detalles
SIA911ADJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	Detalles
SIA911DJ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	Detalles
SIA911DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	Detalles
SIA911EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	Detalles
SIA912DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6	Detalles
SIA913ADJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6	Detalles
SIA913DJ-T1-E3	VISHAY	SIA913DJ-T1-E3 VISHAY QFN New Original Stocks	Detalles
SIA913DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6	Detalles
SIA914ADJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L	Detalles