SIA913DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIA913DJ-T1-GE3
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 6V
Leistung max	6.5W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIA910EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6	Einzelheiten
SIA911ADJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	Einzelheiten
SIA911DJ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	Einzelheiten
SIA911DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	Einzelheiten
SIA911EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	Einzelheiten
SIA912DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6	Einzelheiten
SIA913ADJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6	Einzelheiten
SIA913DJ-T1-E3	VISHAY	SIA913DJ-T1-E3 VISHAY QFN New Original Stocks	Einzelheiten
SIA913DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6	Einzelheiten
SIA914ADJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L	Einzelheiten