SI7862ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI7862ADP-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 2.3993/pcs
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Número de pieza	SI7862ADP-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	16V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	18A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7340pF @ 8V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 29A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / caja	PowerPAK® SO-8
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SI7862ADP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8	Detalles
SI7862ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8	Detalles
SI7862DP-T1-GE3	VISHAY	SI7862DP-T1-GE3 VISHAY QFN New Original Stocks	Detalles