SI1026X-T1-E3

SI1026X-T1-E3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SI1026X-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4048 pcs
Precio de referencia
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SI1026X-T1-E3 Descripción detallada

Número de pieza SI1026X-T1-E3
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Potencia - Max 250mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor SC-89-6
Peso -
País de origen -

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