SI1026X-T1-E3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI1026X-T1-E3 |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
305mA |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
1.4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
0.6nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
30pF @ 25V |
Leistung max |
250mW |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket |
SC-89-6 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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