ES2B-E3/52T - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza	ES2B-E3/52T
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corriente - promedio rectificado (Io)	2A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	900mV @ 2A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F	18pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
ES2B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Detalles
ES2B M4G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Detalles
ES2B R5G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Detalles
ES2B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 2A SMB	Detalles
ES2B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 2A SMB	Detalles
ES2B-E3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Detalles
ES2B-E3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Detalles
ES2B-LTP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC	Detalles
ES2B-M3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Detalles
ES2B-M3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Detalles