TPN30008NH,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TPN30008NH,LQ
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: TPN30008NH,LQ Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 7500 pcs
Precio de referencia: USD 0.3748/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	TPN30008NH,LQ
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 40V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	700mW (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 4.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / caja	8-PowerVDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
TPN30008NH,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON	Detalles
TPN302	ST	TPN302 ST SOP-8 New Original Stocks	Detalles
TPN3021	STMicroelectronics	OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC	Detalles
TPN3021RL	STMicroelectronics	THYRISTOR 28V 100A 8SOIC	Detalles