Número de pieza | TPC8129,LQ(S |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 200µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP |
Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso | - |
País de origen | - |