TPC6008-H(TE85L,FM - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TPC6008-H(TE85L,FM
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	TPC6008-H(TE85L,FM
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.9A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	VS-6 (2.9x2.8)
Paquete / caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso	-
País de origen	-

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