TPC6008-H(TE85L,FM

TPC6008-H(TE85L,FM - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPC6008-H(TE85L,FM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3518 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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TPC6008-H(TE85L,FM detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPC6008-H(TE85L,FM
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket VS-6 (2.9x2.8)
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht -
Ursprungsland -

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