TK8A65W,S5X

TK8A65W,S5X - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TK8A65W,S5X
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TK8A65W,S5X Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
435 pcs
Precio de referencia
USD 1.96/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para TK8A65W,S5X

TK8A65W,S5X Descripción detallada

Número de pieza TK8A65W,S5X
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.8A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 300µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 3.9A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA TK8A65W,S5X