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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › TK8A60W,S4VX
TK8A60W,S4VX

TK8A60W,S4VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TK8A60W,S4VX
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TK8A60W,S4VX Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
11198 pcs
Precio de referencia
USD 2.365/pcs
Nuestro precio
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TK8A60W,S4VX Descripción detallada

Número de pieza TK8A60W,S4VX
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 400µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET Super Junction
Disipación de potencia (Máx) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso -
País de origen -

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