TK60D08J1(Q)

TK60D08J1(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TK60D08J1(Q)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4212 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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TK60D08J1(Q) Descripción detallada

Número de pieza TK60D08J1(Q)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 60A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5450pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220(W)
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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