TK3R1E04PL,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK3R1E04PL,S1X
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: TK3R1E04PL,S1X Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 1687 pcs
Precio de referencia: USD 1.92/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	TK3R1E04PL,S1X
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	63.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4670pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 30A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
TK3R1A04PL,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Detalles
TK3R1E04PL,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Detalles
TK3R1P04PL,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK	Detalles