TK28N65W,S1F

TK28N65W,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TK28N65W,S1F
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
325 pcs
Precio de referencia
USD 6.28/pcs
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TK28N65W,S1F Descripción detallada

Número de pieza TK28N65W,S1F
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 27.6A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.6mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 13.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

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