TK28N65W,S1F Descripción detallada
Número de pieza |
TK28N65W,S1F |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
27.6A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 1.6mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
75nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
3000pF @ 300V |
Vgs (Max) |
±30V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
230W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
110 mOhm @ 13.8A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-247 |
Paquete / caja |
TO-247-3 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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