TK20C60W,S1VQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK20C60W,S1VQ
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 95 pcs
Precio de referencia: USD 5.81/pcs
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Número de pieza	TK20C60W,S1VQ
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	I2PAK
Paquete / caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	TK20C60W,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK	Detalles