TK10A60W5,S5VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK10A60W5,S5VX
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	TK10A60W5,S5VX
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.7A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 4.9A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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