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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Arreglos › SSM6N61NU,LF
SSM6N61NU,LF

SSM6N61NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
SSM6N61NU,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
SSM6N61NU,LF Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
7500 pcs
Precio de referencia
USD 0.1654/pcs
Nuestro precio
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SSM6N61NU,LF Descripción detallada

Número de pieza SSM6N61NU,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V
Potencia - Max 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor 6-UDFNB (2x2)
Peso -
País de origen -

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