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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › SSM6N61NU,LF
SSM6N61NU,LF

SSM6N61NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM6N61NU,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SSM6N61NU,LF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1654/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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SSM6N61NU,LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM6N61NU,LF
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 6-UDFNB (2x2)
Gewicht -
Ursprungsland -

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