RN1132MFV,L3F

RN1132MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
RN1132MFV,L3F
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
5681517 pcs
Precio de referencia
USD 0.02898/pcs
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RN1132MFV,L3F Descripción detallada

Número de pieza RN1132MFV,L3F
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistor - Base (R1) 200 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) -
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor VESM
Peso -
País de origen -

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