RN1132MFV,L3F detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
RN1132MFV,L3F |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Resistor - Base (R1) |
200 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) |
- |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
120 @ 1mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 5mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang |
- |
Leistung max |
150mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-723 |
Lieferantengerätepaket |
VESM |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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