6N139(F)

6N139(F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
6N139(F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Optoaisladores - Transistor, salida fotovoltaica
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
20742 pcs
Precio de referencia
USD 1.28/pcs
Nuestro precio
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6N139(F) Descripción detallada

Número de pieza 6N139(F)
Estado de la pieza Active
número de canales 1
Voltaje - Aislamiento 2500Vrms
Ratio de transferencia actual (Min) 500% @ 1.6mA
Ratio de transferencia actual (máximo) -
Tiempo de encendido / apagado (Tipo) 200ns, 1µs
Tiempo de subida / bajada (Tipo) -
Tipo de entrada DC
Tipo de salida Darlington with Base
Voltaje - Salida (Máx) 18V
Corriente - Salida / Canal 60mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) 1.65V
Current - DC Forward (If) (Max) 20mA
Saturación de Vce (Máx) -
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-DIP
Peso -
País de origen -

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