6N139(F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	6N139(F)
Teilstatus	Active
Anzahl der Kanäle	1
Spannung - Isolation	2500Vrms
Aktueller Übertragungsgrad (Min.)	500% @ 1.6mA
Aktuelles Übertragungsverhältnis (maximal)	-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)	200ns, 1µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)	-
Eingabetyp	DC
Ausgabetyp	Darlington with Base
Spannung - Ausgang (Max)	18V
Strom - Ausgang / Kanal	60mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)	1.65V
Aktuell - DC Vorwärts (If) (Max)	20mA
Vce Sättigung (Max)	-
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket	8-DIP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
6N1135	Vishay Semiconductor Opto Division	OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP	Einzelheiten
6N1135-X006	Vishay Semiconductor Opto Division	OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP	Einzelheiten
6N1135-X007	VISHAY	High Speed Optocoupler, 1 MBd, Photodiode with Transistor Output, 110 C Rated	Einzelheiten
6N1135-X009T	Vishay Semiconductor Opto Division	OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8SMD	Einzelheiten
6N1135_08	VISHAY	High Speed Optocoupler, 1 MBd, Photodiode with Transistor Output, 110 ∑C Rated	Einzelheiten
6N1136	Vishay Semiconductor Opto Division	OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP	Einzelheiten
6N1136-X006	Vishay Semiconductor Opto Division	OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP	Einzelheiten
6N1136-X007	VISHAY	High Speed Optocoupler, 1 MBd, Photodiode with Transistor Output, 110 C Rated	Einzelheiten
6N1136-X009	VISHAY	High Speed Optocoupler, 1 MBd, Photodiode with Transistor Output, 110 C Rated	Einzelheiten
6N1136-X009T	Vishay Semiconductor Opto Division	OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8SMD	Einzelheiten