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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › 2SK3309(Q)
2SK3309(Q)

2SK3309(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
2SK3309(Q)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
2SK3309(Q) Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
2SK3309(Q).pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4171 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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2SK3309(Q) Descripción detallada

Número de pieza 2SK3309(Q)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 450V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220FL
Paquete / caja TO-220-3, Short Tab
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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